532nm亚纳秒微片激光器
532nm亚纳秒微片激光器，其微片结构设计具备超高的可靠性与稳定性，是高端工业及科研领域原始设备制造（OEM）的理想选择；紧凑的结构设计可适配几乎所有系统集成场景。
此系列产品基于固态、二极管泵浦及被动调 Q 激光器技术打造。
凭借自主专利设计，本系列激光器可输出 532nm米单脉冲激光，脉冲宽度最短可达 500 ps，重复频率最高 100 kHz，平均功率最高 200 mW，单脉冲能量最高 20 μJ。
销售工程师：王工
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手机：18616772132
邮箱：christy.wang@xinuo-photonics.cn
532nm亚纳秒微片激光器，其微片结构设计具备超高的可靠性与稳定性，是高端工业及科研领域原始设备制造（OEM）的理想选择；紧凑的结构设计可适配几乎所有系统集成场景。
此系列产品基于固态、二极管泵浦及被动调 Q 激光器技术打造。
凭借自主专利设计，本系列激光器可输出 532nm米单脉冲激光，脉冲宽度最短可达 500 ps，重复频率最高 100 kHz，平均功率最高 200 mW，单脉冲能量最高 20 μJ。
主要特征：
- 被动调 Q 技术
- 自主专利微片结构设计
- 密封封装
- 纯净脉冲输出（无寄生脉冲）
- 重复频率最高可达 100 千赫
- 支持外部触发
- 风冷散热
典型应用：
- 微加工
- 激光雷达（LiDAR）
- 生物危害检测
- 生物光子学
- 污染监测
- 激光诱导荧光（LIF）
- 激光诱导击穿光谱（LIBS）
- 拉曼光谱分析
可选项：
- 可按需定制 355 nm、266 nm紫外波段激光
- OEM 版 / 台式控制器
- 定制化光束整形
规格参数：
|
光学规格 |
高能 |
标准 |
高重复频率 |
|||
|
脉冲重复频率范围 |
1 kHz |
5 kHz |
20 kHz |
30 kHz |
40 kHz |
50 kHz |
|
最大单脉冲能量 |
20µJ |
13µJ |
10µJ |
5µJ |
3µJ |
2µJ |
|
平均功率 |
20mW |
65mW |
200mW |
150mW |
120mW |
100mW |
|
脉宽(typ.) |
< 1 ns |
~ 1 ns |
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空间模式 |
TEM 00，M² < 1.2 |
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|
功率稳定性(rms 24h) |
< 2 % |
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光束直径(typ.) |
50-100 µm |
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聚焦点椭圆度 |
可选配圆度校正，校正后偏差＜10% |
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|
偏振比 |
> 100：1 |
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激光等级 |
III B |
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工作温度 |
5 – 40°C（无冷凝） |
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预期使用寿命 |
> 15000 h |
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其他规格 |
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激光头尺寸 |
90 x 85 x 70 mm（带散热器） |
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光电二极管输出信号 |
TTL兼容 |
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外部触发选项 |
TTL 信号请求 |
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OEM 驱动器 |
12VDC/5A – 尺寸 115 x 85 x 35mm |
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台式驱动器 |
110 – 240 VAC – 尺寸 210 x 170 x 45 mm |
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